【ITBEAR】8月23日消息，據媒體報道，半導體領域的三大巨頭——SK海力士、臺積電與NVIDIA，即將攜手展開深度合作，共同致力于下一代高頻寬內存技術（HBM）的研發。
這一重要合作計劃有望在中國臺灣國際半導體展（Semicon Taiwan）上于9月正式對外宣布，屆時，SK海力士的社長金柱善將發表專題演講，詳細介紹合作細節。
據ITBEAR了解，此次三方合作的核心將聚焦于HBM技術的深入研發，旨在搶占AI服務器關鍵零組件的技術高地。HBM作為一種先進的3D堆疊內存技術，對于提升AI和高性能計算處理器的內存性能具有至關重要的作用。
合作的目標明確指向2026年實現HBM4的量產。屆時，將采用臺積電的12FFC+及5納米工藝來制造HBM4接口芯片，以實現更小的互連間距，進一步提升技術性能。
值得注意的是，SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM內存的獨家供應商，預計2026年NVIDIA推出的Rubin系列將正式采用這一先進的HBM4技術。
此次深度合作不僅將進一步鞏固三方在AI半導體產業中的領導地位，還有望拉大與競爭對手之間的差距，形成更加穩固的市場優勢。
此外，臺積電也在積極布局，加強其CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術的產能，以全力支持HBM4的大規模量產，滿足市場需求。
