近期，一家名為英偉芯科技的創(chuàng)新企業(yè)憑借其在光電異質集成技術領域的突破，引起了業(yè)界的廣泛關注。這家企業(yè)專注于光互連（OIO）產品和紅外探測器產品的研發(fā)，其核心競爭力在于獨特的晶圓級光電異質集成技術。

英偉芯科技所掌握的晶圓級光電異質集成技術，實現了將高性能的III-V材料集成到硅產業(yè)鏈中。這一創(chuàng)新技術結合了硅材料的成本優(yōu)勢、器件面積密度的“摩爾定律”效應，以及光子學的高帶寬特性，旨在光互連領域實現前所未有的性能指標。據透露，該技術的帶寬密度高達每平方毫米每皮焦耳一萬吉比特（10000 Gps/mm2/pJ/b），能耗效率約為每比特1皮焦耳在3.2太比特速率下（1 pJ/b@3.2T），延遲更是低于5納秒加上傳輸時間（5ns+TOF），相較于其他競爭技術，具有顯著的優(yōu)勢。

英偉芯科技的創(chuàng)始人聶輝，是一位在光電器件領域擁有30年豐富經驗的專家。他曾在朗訊貝爾實驗室、英特爾等國際知名企業(yè)擔任技術和管理職務，領導了多個重要項目和初創(chuàng)團隊。公司的核心團隊成員同樣來自英特爾、知名激光雷達公司等行業(yè)領軍企業(yè)，他們在光電器件的研發(fā)與量產方面積累了深厚的實踐經驗。團隊曾成功實現從無到有的技術突破，包括100G硅光芯片、高功率面發(fā)射激光器（VCSEL）、高靈敏度單光子探測器（SPAD）以及硅光激光雷達芯片等關鍵技術，并通過大規(guī)模量產交付的市場檢驗。

英偉芯科技的光電融合戰(zhàn)略旨在將化合物光電材料納入“摩爾定律”的發(fā)展軌道，通過光電協(xié)同設計和制造，利用晶圓級異質集成技術在CMOS產線上制備收發(fā)、探測等光芯片，并在晶圓端實現與電芯片的互連。這一戰(zhàn)略有望徹底顛覆當前光芯片（化合物材料）的產業(yè)生態(tài)。

作為本輪投資方，中科創(chuàng)星對英偉芯科技的前景表示高度看好。中科創(chuàng)星認為，光電融合是信息領域的重要發(fā)展趨勢，特別是在人工智能對傳感、通信、計算等方面需求日益增長的背景下，光電異質集成作為可行的技術路線，具有廣闊的發(fā)展前景。中科創(chuàng)星對英偉芯科技團隊在III-V族光芯片、硅光領域的深厚積累以及光電集成領域的成功實踐表示贊賞，認為這有助于提升團隊在光互連和紅外傳感領域創(chuàng)新的可行性。英偉芯科技還能與中科創(chuàng)星在光電半導體產業(yè)的生態(tài)布局形成緊密的上下游協(xié)同，并具備擴展應用的巨大潛力。因此，中科創(chuàng)星堅定投資布局，并在加工平臺等方面給予英偉芯科技大力支持，期待其為行業(yè)貢獻卓越的光電異質集成方案。