【ITBEAR科技資訊】5月14日消息，近日，SK海力士在2024年度IEEE IMW國際存儲研討會上宣布了關于HBM4E內存的重要進展。據SK海力士技術人員Kim Kwi Wook透露，該公司計劃采用1c nm工藝的32Gb DRAM芯片來構建新一代的HBM4E內存，并且預期該內存的開發周期將縮短至一年。

這一消息無疑為科技界帶來了新的震動。目前，全球三大內存制造商尚未開始大規模生產1c nm(第六代10+nm級)DRAM內存顆粒。然而，SK海力士已經走在了前面，計劃在今年內實現1c nm DRAM的量產，與三星電子一同領跑新一代內存技術的競賽。美光科技則稍顯落后，預計要到明年才能實現量產。

新一代1c nm DRAM顆粒有望在存儲密度和能效方面帶來顯著的改進。目前，SK海力士在HBM3E內存中主要使用的是1b nm工藝的DRAM顆粒。雖然該公司尚未確認HBM4是否會采用更新的DRAM裸片制程，但韓媒The Elec近日的報道指出，SK海力士已經將HBM4的量產時間提前到了2025年下半年，因此繼續使用1b nm顆粒可能更符合其研發進度。

據ITBEAR科技資訊了解，目前主流的HBM3E產品通常采用24Gb DRAM顆粒，這使得在8層堆疊的情況下，HBM3E內存的單堆棧容量可以達到24GB。若采用12層堆疊設計，其堆棧容量更可提升至36GB。隨著HBM4E內存升級到32Gb DRAM裸片，12層堆疊的版本有望實現48GB的單顆容量，而16層版本甚至可能達到64GB的超大規模，這將為人工智能等應用提供更多可能性。

Kim Kwi Wook預測，相比HBM4，HBM4E內存將在帶寬上提升40%、密度提升30%，同時能效也將提高30%。然而，在談到鍵合技術時，他表示混合鍵合仍然面臨著良率問題，因此SK海力士在下一代HBM4產品中采用混合鍵合技術的可能性并不大。

隨著技術的不斷進步和市場的日益競爭，各大內存制造商都在積極尋求突破和創新。SK海力士的這一新動向無疑為整個行業帶來了新的挑戰和機遇。我們期待這一技術在未來能夠為更多領域帶來革命性的變革。