近日，半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要進(jìn)展，英特爾宣布成功部署阿斯麥（ASML）最新研發(fā)的TWINSCAN EXE:5200B光刻系統(tǒng)。該設(shè)備作為全球首套第二代高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)，將直接應(yīng)用于英特爾14A制程節(jié)點(diǎn)的芯片制造，標(biāo)志著先進(jìn)制程技術(shù)邁入新階段。

據(jù)技術(shù)資料顯示，EXE:5200B在核心性能指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)突破。在標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)條件下，該系統(tǒng)每小時(shí)可處理175片晶圓，而英特爾通過優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，計(jì)劃將產(chǎn)能提升至每小時(shí)200片以上。更值得關(guān)注的是，基于過去一年多對(duì)High-NA設(shè)備的實(shí)踐積累，新系統(tǒng)的套刻精度（Overlay Accuracy）達(dá)到0.7納米級(jí)別，為制造更復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)提供了技術(shù)保障。

回顧技術(shù)演進(jìn)歷程，英特爾于2023年率先引入首臺(tái)High-NA EUV原型機(jī)EXE:5000，并在俄勒岡州D1X研發(fā)中心完成技術(shù)驗(yàn)證與人才梯隊(duì)建設(shè)。此次量產(chǎn)型設(shè)備的落地，不僅延續(xù)了雙方在極紫外光刻領(lǐng)域的深度合作，更通過設(shè)備迭代驗(yàn)證了高精度光刻技術(shù)的工業(yè)化可行性，為后續(xù)大規(guī)模部署奠定基礎(chǔ)。

英特爾強(qiáng)調(diào)，High-NA EUV技術(shù)是其晶圓代工業(yè)務(wù)的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。通過整合掩模版制造、等離子蝕刻、解析度增強(qiáng)及計(jì)量檢測(cè)等全鏈條工藝，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)晶體管特征的進(jìn)一步微縮，滿足人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域?qū)π酒芏鹊膰?yán)苛要求。此次設(shè)備升級(jí)將直接推動(dòng)英特爾在先進(jìn)制程賽道的技術(shù)領(lǐng)先性。

行業(yè)分析指出，隨著摩爾定律進(jìn)入物理極限挑戰(zhàn)期，High-NA EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)應(yīng)用具有戰(zhàn)略意義。其0.55數(shù)值孔徑設(shè)計(jì)相比前代0.33數(shù)值孔徑設(shè)備，在分辨率和成像質(zhì)量上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，有望將芯片制程推進(jìn)至埃米（?）級(jí)時(shí)代。英特爾此次技術(shù)部署或?qū)⒅厮苋虬雽?dǎo)體制造格局。